Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 23 (2), P. 201-207(2020).
DOI: https://doi.org/10.15407/spqeo23.02.201
Електрофізичні характеристики світлодіодів GaAs1–xPx, опромінених електронами з енергією 2 МеВ
1Національний педагогічний університет ім. М.П. Драгоманова,
9, вул. Пирогова, 01601 Київ, Україна
Анотація. У режимах генератора струму та напруги досліджено електрофізичні характеристики комерційних помаранчевих світлодіодів GaAs1–xPx, опромінених електронами з енергією 2 МеВ та флюенсом 1014…2·1016 см-2. Показано, що точкові радіаційні дефекти, введені в діод GaAs1–xPx, знижують електропровідність бази. Послідовні та паралельні опори пристрою збільшуються, компенсуючи електропровідність основи і зменшуючи ймовірність утворення лавинних пробійних каналів. Області негативного диференціального опору, які з’являються на вольт-амперних характеристиках, є результатом присутності підґратки GaP у твердому розчині. Під час опромінення напруга перемикання в стан низького рівня збільшується через розширення збідненої області сполуки. Збільшення струму після опромінення викликане зміною довжини вільного пробігу носіїв заряду.
Ключові слова: GaAs1–xPx, світлодіод, електронне опромінення, дефекти, вольт-амперні характеристики.
Р.М. Вернидуб1, О.І. Кириленко1, О.В. Конорева2, Я.М. Оліх3, П.Г. Литовченко2, Ю.В. Павловський4, P. Potera5, В.П. Тартачник2
2Інститут ядерних досліджень НАН України, 47, проспект Науки, 03028 Київ, Україна
3Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України,
41, проспект Науки, 03028 Київ, Україна
4Дрогобицький державний педагогічний університет ім. Івана Франка,
24, вул. І. Франка, 82100 Дрогобич, Україна
5University of Rzeszow, Tadeusz Rejtan 16C Avenue, 35-310 Rzeszow, Poland
*E-mail: Konoreva@nas.gov.ua
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.