¹Exploitation satellite communication Center, Algerian Space Agency, Algeria
²Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Technology,
Materials and Renewable Energy Research Unit, University of Abou-Bakr Belkaid, Tlemcen, Algeria
³Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Technology,
University of Abou-Bakr Belkaid, Tlemcen, Algeria

Анотація. У цій статті досліджено транзистор із високою рухливістю електронів, керований електричним полем (FP-HEMT), з пасивацією оксидом алюмінію, узгодженням ґраток InAlN/GaN та затвором довжиною 30 нм. Змодельовано оцінку його характеристик в залежності від режиму теплового впливу. Також проаналізовано і змодельовано цей пристрій запропонованою еквівалентною схемою, яка враховує міжелектродний розподілений зовнішній паразитний та додатковий внутрішній зворотний зв’язок. Потім проведено дослідження, як цей пристрій можна використовувати в теплових умовах, типових для супутникового зв’язку. Програмне забезпечення симулятора Tcad-Silvaco використано для прогнозування результатів оцінки характеристик, заданих за допомогою генетичного алгоритму, для поліпшення часу обчислень і точності моделі. Отримані результати підтверджують припустимість використання цієї нової моделі пристрою з тонким бар’єром InAlN, Filip Chip і польовою пластиною в одній структурі в режимі сигналу підсилювача високої потужності на геостаціонарній тепловій орбіті.

Ключові слова: Нова модель малого теплового сигналу для FP-HEMT, що використовується для супутникового зв’язку.

Текст статті (PDF)

Посилання

Назад до 24 (2)