Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 24 (2), P. 210-217 (2021).


Нова модель малого теплового сигналу для FP-HEMT, що використовується для супутникового зв’язку
Z. Kourdi1, A. Hamdoune2, M. Khaouani3

1Exploitation satellite communication Center, Algerian Space Agency, Algeria
2Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Technology,
Materials and Renewable Energy Research Unit, University of Abou-Bakr Belkaid, Tlemcen, Algeria
3Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Technology,
University of Abou-Bakr Belkaid, Tlemcen, Algeria

Анотація. У цій статті досліджено транзистор із високою рухливістю електронів, керований електричним полем (FP-HEMT), з пасивацією оксидом алюмінію, узгодженням ґраток InAlN/GaN та затвором довжиною 30 нм. Змодельовано оцінку його характеристик в залежності від режиму теплового впливу. Також проаналізовано і змодельовано цей пристрій запропонованою еквівалентною схемою, яка враховує міжелектродний розподілений зовнішній паразитний та додатковий внутрішній зворотний зв’язок. Потім проведено дослідження, як цей пристрій можна використовувати в теплових умовах, типових для супутникового зв’язку. Програмне забезпечення симулятора Tcad-Silvaco використано для прогнозування результатів оцінки характеристик, заданих за допомогою генетичного алгоритму, для поліпшення часу обчислень і точності моделі. Отримані результати підтверджують припустимість використання цієї нової моделі пристрою з тонким бар’єром InAlN, Filip Chip і польовою пластиною в одній структурі в режимі сигналу підсилювача високої потужності на геостаціонарній тепловій орбіті.

Ключові слова: Нова модель малого теплового сигналу для FP-HEMT, що використовується для супутникового зв’язку.

Текст статті (PDF)


Назад до 24 (2)

Creative Commons License
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.