Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 21 (3), P. 231-237 (2018).
DOI: https://doi.org/10.15407/spqeo21.03.231


Конденсони і біконденсони в одновимірних системах
Н.І. Каширіна1, О.А. Король2

1Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 41, проспект Науки, 03680 Київ, Україна
2Національний Авіаційний Університет, 1, вул. Космонавта Комарова, 03058 Київ, Україна

Анотація. У роботі в рамках континуальної теорії сильного зв’язку моделюються конденсонні і біконденсонні стани в одновимірних системах з використанням гаусcівського базису з експоненціально корельованими множниками. Для визначення точності варіаційних розрахунків показано, що використання варіаційної функції, яка складається з суми 5 гауссіанів, дозволяє відтворити точне значення енергії і хвильової функції 1D-конденсона з 8 і 6 значущими цифрами відповідно. Отримано аналітичні вирази для ефективного функціонала 1D біконденсона. Варіаційні розрахунки енергії основного стану синглетного конденсона проводилися з урахуванням одноцентрових кореляцій і кореляцій, зумовлених прямою залежністю хвильової функції біконденсона від відстані між електронами. Побудовано графічну залежність енергії біконденсона від параметра кулонівського відштовхування VC. Границя існування біконденсона визначається як функція параметра електрон-електронного відштовхування: VC ≤ VC*≈ 4,8. Розглянуто модель одноцентрового біконденсона, але розподіл двохелектронної щільності ймовірності (квадрат хвильової функції біконденсона) в області 2 ≤ VC має два максимуми, відстань між якими при VC = 2 становить Rm = 1,8567. Визначений розподіл щільності ймовірності пов’язаний з низькою розмірністю розглянутої системи.

Ключові слова: полярон, 1D-біполярон, конденсон, біконденсон, низьковимірні системи, електрон-фононна взаємодія.

Текст статті (PDF)


Назад до 21 (3)

Creative Commons License
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.