Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 22 (3), P. 353-360(2019).
DOI: https://doi.org/10.15407/spqeo22.03.353


Контроль збудження плазмонів за допомогою P- та S-поляризованого світла в решітках Au нанодротів шляхом зміни азимутального кута
В.А. Данько, І.З. Індутний, В.І. Мінько, С.В. Мамикін, П.Є. Шепелявий, М.В. Луканюк, П.М. Литвин

Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України 45, проспект Науки, 03680 Київ, Україна

Анотація. У статті наведено результати експериментів з визначення дисперсії плазмонних мод, пов’язаних з решітками Au нанодротів з фіксованою просторовою частотою (ν = 3370 мм-1) та різними щілинами між цими дротами, виготовленими за допомогою інтерференційної літографії. Оптичні властивості виготовлених плазмонних структур вивчали за допомогою вимірювань спектральної та кутової залежностей P- та S-поляризованого загасання в діапазоні довжин хвиль 0,4…1,1 мкм, кутах падіння 10…70 градусів при конічному монтажі (при змінному куті азимута в діапазоні φ = 0…90 градусів). Було показано, що в решітці із середньою щілиною між нанодротами, що дорівнює половині періоду решітки при φ = 0, лише локальні плазмони (ЛП) збуджуються Р-поляризованим світлом. Коли кут азимуту змінюється від 0 до 90, інтенсивність збуджених ЛП плавно «переноситься» від P- до S-поляризованого збудження, а при φ ~ 30…45 градусів інтенсивності смуг ЛП в обох поляризаціях приблизно рівні. Однак у зразку з вузькими щілинами між нанодротами (40 нм) ми спостерігаємо змішану моду із збудженням як поверхневого плазмонного поляритону, так і локального плазмону при P-поляризації та φ = 0. Із зростанням φ інтенсивність змішаної моди у Р-поляризації зменшується і одночасно збільшується інтенсивність моди ЛП у S-поляризації.

Ключові слова: плазмонні решітки, поверхневий плазмонний резонанс, інтерференційна літографія, азимутальне обертання.

Текст статті (PDF)


Назад до 22 (3)

Creative Commons License
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.