Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 23 (3), P. 253-259 (2020).
https://doi.org/10.15407/spqeo23.03.253

Порівняльні характеристики гетероструктур TiO2(Er2O3, Dy2O3)/por-SiC/SiC (Огляд)
Ю.Ю. Бачеріков, Р.В. Конакова, О.Б. Охріменко

Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України 41, проспект Науки, 03680 Київ, Україна
E-mail: olga@isp.kiev.ua

Анотація. У даній роботі розглянуто порівняльні характеристики тонких оксидних плівок (OF) титану, ербію та диспрозію, сформованих на підкладках карбіду кремнію при наявності та відсутності пористого шару por-SiC. Показано, що незалежно від наявності буферного пористого шару в структурах TiO2(Er2O3, Dy2O3)/por-SiC/SiC та TiO2(Er2O3, Dy2O3)/SiC формуються оксидні шари приблизно однакової товщини, а якість межі поділу в структурах OF/SiC вища, ніж у структурах OF/por-SiC/SiC. Збільшення часу і температури швидкого термічного відпалу дозволяє поліпшити якість межі поділу оксидна плівка/підкладка незалежно від наявності в структурі пористого буферного шару. При цьому найбільш вузька межа поділу оксидна плівка/буферний пористий шар/підкладка спостерігається у структурах TiO2/por-SiC/SiC. Найбільш чутливими до зміни параметрів швидкого термічного відпалу є структури TiO2/por-SiC/SiC, а найбільш стійкими – структури Er2O3/por-SiC/SiC.

Ключові слова:interface, thin oxide films, porous silicon carbide, Auger spectrometry, optical absorption, photoluminescence.

Текст статті (PDF)


Назад до 23 (3)

Creative Commons License
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.