LPMRN Laboratory, Department of Materials Science, Faculty of Sciences and Technology, University of Mohamed El Bachir El Ibrahimi, Bordj-Bou-Arreridj 34030, Algeria E-mail: hlat26@ yahoo.fr.

Анотація. Метод профілювання струму, напруги та температури було використано для діодів з бар’єром Шотткі на основі 4H-SiC і представлено для визначення ефективної маси електрона у 4H-SiC. Виявлена ефективна маса електрона залежала від температури, вона зменшується зі збільшенням температури. Крім того, було знайдено хорошу узгодженість між отриманими нами значеннями ефективної маси електрона (m* = 0,18m0, 0,21m0) при кімнатній температурі та іншими значеннями, отриманими різними методами. The current-voltage-temperature profiling method has been used with 4H-SiC Schottky barrier diodes and presented for determining the electron effective mass in 4H-SiC. The extracted electron effective mass has been found to be temperature dependent, it decreases with increasing the temperature. Moreover, a good agreement was found between our obtained values of electron effective mass (m* = 0.18m0, 0.21m0) at room temperature and other values that are obtained by different methods.

Ключові слова:4H-SiC, діод Шотткі, ефективна маса електрона, I-V метод, зворотний струм, терміонна емісія, тунельний струм.

Текст статті (PDF)

Посилання

Назад до 23 (3)