Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 23 (3), P. 290-293 (2020).
https://doi.org/10.15407/spqeo23.03.290
Статистика рекомбінації нерівноважних носіїв у моделі напівпровідника з донорно-акцепторними парами зі змінною активністю рекомбінації
1Фізико-технічний інститут НВО «Фізика-Сонце» Академії наук Узбекистану,
Узбекистан, 100084, Ташкент, вул. Чингіза Айтматова, 2В; е-mail: fti_uz@mail.ru
E-mail: fti_uz@mail.ru
Анотація. Швидкість рекомбінації нерівноважних носіїв була розрахована для моделі напівпровідника з донорно-акцепторними парами, активність рекомбінації
яких знижується під час збудження. Було показано, що навіть при дуже низькій інерційності внутрішньокомплексного обміну цей процес може призвести до зниження швидкості рекомбінації.
Отримані результати демонструють принципову відмінність від класичної статистики Шоклі–Ріда.
Ключові слова:рекомбінація, донорно-акцепторні пари, зниження активності рекомбінації.
А.Ю. Лейдерман1, А.К. Утеніязов2, М.Т. Нсанбаєв3
2Каракалпакський державний університет імені Бердаха,
Узбекистан, Республіка Каракалпакстан, 230012 Нукус, вул. Абдірова, 1; е-mail: abat-62@mail.ru
3Нукуський державний педагогічний інститут імені Ажініяза
Республіка Каракалпакстан, Нукус, вул. П. Сейтова
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.