Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 24 (3), P. 255-260 (2021).
Формування комплексів домішкових атомів Mn з елементами VI групи в кристалічній решітці кремнію
1Karakalpak State University, Uzbekistan, Nukus, E-mail: k_ismailov@karsu.uz Анотація.
Досліджено формування комплексів домішкових атомів Mn з домішковими атомами елементів VI групи (S, Se, Te) у кристалічній решітці кремнію.
Експериментально виявлено, що має місце утворення електронейтральних молекул з іонно-ковалентним зв’язком між атомами Mn та елементами
VI групи, що можливо приводить до формування нових бінарних елементарних комірок Si2BVI ++Mn у кристалічній решітці кремнію. Показано, що в зразках
Si<S, Mn>, Si<Se,
Mn> and Si<Te, Mn> відбувається інтенсивне комплексоутворення при температурах 1100, 820 та 650°C відповідно. Ключові слова: кремній, електронейтральні молекули, дифузія, термічний відпал. ![]() This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.
|