Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 24 (3), P. 255-260 (2021).
DOI: https://doi.org/10.15407/spqeo24.03.255


Формування комплексів домішкових атомів Mn з елементами VI групи в кристалічній решітці кремнію
К.А. Ісмайлов1, Х.М. Ілієв2, М.О. Турсунов3, Б.К. Ісмайлов2

1Karakalpak State University, Uzbekistan, Nukus, E-mail: k_ismailov@karsu.uz
2Tashkent State Technical University, 100095, Uzbekistan, Tashkent, Universitetskaya
str., 2, E-mail: xolmurodov.iliev@tdtu.uz
3Termez State University, 190111, Uzbekistan, Termez, Barkamol avlod str., 43
E-mail: mtursunov@tersu.uz

Анотація. Досліджено формування комплексів домішкових атомів Mn з домішковими атомами елементів VI групи (S, Se, Te) у кристалічній решітці кремнію. Експериментально виявлено, що має місце утворення електронейтральних молекул з іонно-ковалентним зв’язком між атомами Mn та елементами VI групи, що можливо приводить до формування нових бінарних елементарних комірок Si2BVI ++Mn у кристалічній решітці кремнію. Показано, що в зразках Si<S, Mn>, Si<Se, Mn> and Si<Te, Mn> відбувається інтенсивне комплексоутворення при температурах 1100, 820 та 650°C відповідно.

Ключові слова: кремній, електронейтральні молекули, дифузія, термічний відпал.

Текст статті (PDF)


Назад до 24 (3)

Creative Commons License
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.