Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 24 (3), P. 272-276 (2021).
DOI: https://doi.org/10.15407/spqeo24.03.272

Отримання почетверених сполук Cu2ZnSnS4 за допомогою самопоширюваного високотемпературного синтезу
Ю.Ю. Бачериков1, М.Н. Мірзаєв2, А.Г. Жук1, О.Б. Охріменко1, Н.В. Дорошкевич2, В.В. Кідалов3, В.Ю. Горонескуль1

1Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова, НАН України
41, проспект Науки, 03680 Київ, Україна
2Joint Institute for Nuclear Research, 6, Joliot-Curie Str., Dubna, Russian Federation 141980
3Таврійський державний агротехнологічний університет, 18, проспект Богдана Хмельницького,
72312 Мелітополь, Запорізька область, Україна
*E-mail: Yuyu@isp.kiev.ua

Анотація. У роботі досліджена можливість отримання дрібнодисперсного Cu 2 ZnSnS 4 методом самопоширюваного високотемпературного синтезу. Проведено дослідження комбінаційного розсіювання світла та ІЧ-Фур’є спектроскопії синтезованого дрібнодисперсного матеріалу. Аналіз спектрів КР та ІЧ- Фур’є показав, що синтезований матеріал у процесі отримання формується зі структурою кестерит із включенням деякої кількості вторинних фаз у вигляді сульфідів та станитів.

Ключові слова: самопоширюваний високотемпературний синтез, почетверені напівпровідники, кестерит, комбінаційне розсіювання світла, ІЧ-Фур’є спектроскопія.

Текст статті (PDF)


Назад до 24 (3)

Creative Commons License
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.