Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 24 (3), P. 288-294 (2021).
DOI: https://doi.org/10.15407/spqeo24.03.288

Модель потенціального бар’єра, що виникає в гідрошарі, локалізованому у двошаровій пористій наноструктурі
Ю.Ю. Бачеріков1, О.Б. Охріменко1, В.Ю. Горонескуль1, В.В. Пономаренко1, А.В. Гільчук2, С.К. Титов2, А.І. Любчик3

1Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова, НАН України
41, проспект Науки, 03680 Київ, Україна
2Національний Технічний Університет України «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського»,
37, проспект Перемоги, 03056 Київ, Україна
3Lusófona University, IDEGI, Campo Grande, 376 1749-024 Lisboa, Portugal
*E-mail: Yuyu@isp.kiev.ua

Анотація. Запропоновано модель потенціального бар’єра, який виникає у процесі взаємодії двох компактованих шарів, які складаються з наночастинок гідрофільного оксиду різного розміру у кожному шарі, при насиченні такої структури адсорбованою водою. Теоретично розраховано залежність густини об’ємного заряду пресованого порошкового матеріалу від щільності частинок у ньому. Отримано розподіл потенціалу по товщині контакта двох шарів, які складаються з наночастинок різного розміру.

Ключові слова: потенціальний бар’єр, двошарова пориста наноструктура, гідратований шар, наночастинка.

Текст статті (PDF)


Назад до 24 (3)

Creative Commons License
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.