¹Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова, НАН України
41, проспект Науки, 03680 Київ, Україна
²Дрогобицький державний педагогічний університет імені Івана Франка,
24, вул. Івана Франка, 82100 Дрогобич, Львівська область, Україна
³The John Paul II Catholic University of Lublin, 14 Al. Racławickie, 20-950 Lublin, Poland
⁴Національний Технічний Університет України «Київський політехнічний
інститут імені Ігоря Сікорського», 37, проспект Перемоги, 03056 Київ, Україна
⁵IFW Dresden, Institute for Complex Materials, Helmholtz str. 20, 01069 Dresden, Germany
⁶Research Institute for Solid State Physics and Optics, H-1525 Budapest, POB 49, Hungary
⁷Національний Педагогічний Університет імені М.П. Драгоманова, 9, вул. Пирогова, 02000 Київ, Україна
*Corresponding author e-mail: k.shportko@ukr.net

Анотація. Анотація.Параметри бозонного піка та першого різкого дифракційного піка в стеклах (As 2 S 3 ) x (GeS 2 ) 1x , виміряні за допомогою КР-спектроскопії з високою роздільною здатністю та рентгенівської дифракції високих енергій синхротрона, досліджено як функцію x. Установлено, що між позиціями бозонного піка та першого різкого дифракційного піка немає взаємозв’язку. Положення бозонного піка показує нелінійну поведінку композиції з максимумом приблизно при x = 0,4, тоді як положення першого різкого дифракційного піка змінюється практично лінійно з x. Інтенсивності піків показують нелінійні залежності складу із змінами нахилу при x = 0,4, хоча прямої пропорційності немає. Аналіз структурних факторів для зразків x = 0,2, 0,4 та 0,6, отриманий в іншому дослідженні, показує, що катіон-катіонні атомні пари Ge-Ge, Ge-As та As-As роблять найбільший внесок у перший різкий дифракційний пік, де домінують пари Ge-Ge та Ge-As.

Ключові слова: халькогенідні стекла, КР-спектроскопія, рентгенівська дифракція, бозонний пік, перший різкий дифракційний пік, молекулярні структурні одиниці.

Текст статті (PDF)

Посилання

Назад до 24 (3)