Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 24 (3), P. 319-327 (2021).
DOI: https://doi.org/10.15407/spqeo24.03.319
Симуляція та характеризація планарних високоефективних сонячних елементів із тильним контактом
1Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова, НАН України Анотація.
ПУ роботі змодельовано ключові параметри кремнієвих високоефективних сонячних елементів з
тильною металізацією (СЕТМ) з плоскими поверхнями, такі, зокрема, як струм короткого замикання,
напруга розімкненого кола та ефективність фотоперетворення. При моделюванні додатково враховано
такі рекомбінаційні механізми, як безвипромінювальна екситонна рекомбінація за механізмом
Оже за участю глибокого рекомбінаційного рівня та рекомбінація в області просторового заряду.
Встановлено, що вони істотні для досліджених СЕТМ в режимі відбору максимальної потужності.
Результати моделювання добре узгоджуються з експериментальними даними з літератури. Ключові слова: моделювання, сонячний елемент, кремній, рекомбінація в області просторового заряду, квантова ефективність.
А.В. Саченко1,
В.П. Костильов1,
Р.М. Коркішко1,
В.M. Власюк1,
I.O. Соколовський1,
Б.Ф. Дверніков1,
В.В. Черненко1,
M. Євстігнєєв2
41, проспект Науки, 03680 Київ, Україна
2Memorial University of Newfoundland, St. John’s, NL, Canada
E-mail: sach@isp.kiev.ua; viktorvlasiuk@gmail.com
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.