¹Department of Physics, Kalinga Institute of Industrial Technology (KIIT), Deemed to be University,
Bhubaneswar-751024, India
²Department of ECE, Gandhi Institute for Technological Advancement (GITA), Bhubaneswar-752054, India
³Department of ECE, National Institute of Technology, Silchar, Assam-788010, India
Corresponding authors e-mail: *physushant@gmail.com, **gpalai28@gmail.com

Анотація. Це дослідження базується на аналізі тривимірної структури фотонного кристала для створення фотонного відбивача, що відноситься до відповідних довжин хвиль оптичного зв’язку 850, 1310 і 1550 нм. Зазначене застосування фотонного відбивача передбачається окремо двома 3D структурами фотонного кристала, які містять напівпровідникові (германій) або металеві (залізо) кругові стрижні відповідно, розташовані на квадратній решітці, що містить повітря як фоновий матеріал. Метод розширених плоских хвиль застосовується для дослідження фотонної забороненої зони по відношенню до всіх вищезазначених довжин хвиль. Фотонна заборонена зона ретельно контролюється за допомогою відповідно вибраних різних параметрів структури, таких як відстань між гратами, діаметр кругових стрижнів та властивості матеріалу. Результати моделювання показали, що структура фотонного кристала на основі напівпровідника відбиває хвилі довжиною 850, 1310 і 1550 нм, у випадку діаметра кругових стрижнів 282, 608 і 771 нм відповідно, тоді як структура фотонного кристала на основі металу відбиває хвилі згаданої довжини для діаметра кругових стрижнів 335, 1070 та 871 нм відповідно. Далі ми проаналізували зміну відбитої довжини хвилі щодо різного діаметра кругових стрижнів для обох запропонованих структур. Таким чином, запропоновані оптичні відбивачі можуть знайти широкий спектр застосувань щодо трьох комунікаційних вікон.

Ключові слова: 3D фотонна структура, оптичний відбивач, розширена плоска хвиля, аналіз фотонної забороненої зони.

Текст статті (PDF)

Посилання

Назад до 24 (3)