Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 21 (4), P. 345-359 (2018).
DOI: https://doi.org/10.15407/spqeo21.04.345
Вплив власних точкових дефектів і домішок заміщення (Cl, I → S) на електронну структуру SnS2
Д.І. Блецкан, В.В.Фролова
Анотація. Неемпіричним методом теорії функціонала густини в наближенні LDA+U в моделі суперкомірки виконані систематичні дослідження закономірностей хімічної модифікації електронної будови «ідеального» 2H-SnS2 при зміні складу. Проаналізовано фази, отримані при легуванні підґратки сірки домішками заміщення Y®S (Y = Cl, I), зміну складу дисульфіду олова за рахунок виникнення атомних вакансій в катіонній і аніонній підґратках (ефекти нестехіометрії).
Ключові слова: дисульфід олова, електронна структура, густина станів, власні та домішкові точкові дефекти, фотопровідність.
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.