Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 23 (4), P. 400-407 (2020).
DOI: https://doi.org/10.15407/spqeo23.04.400
Визначення параметрів когерентних магнітооптичних шарів на кінцевій поглинаючій підкладці за спектрами теплового випромінювання
1Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України,
41, просп. Науки, 03680 Київ, Україна; e-mail: morozh@meta.ua
2Department of Physics, Boston College, 140 Commonwealth Avenue, Chestnut Hill,
Massachusetts 02467-3804, USA; e-mail: irina.bariakhtar@gmail.com
Анотація.
Досліджено можливість визначення параметрів когерентного магнітооптичного шару на некогерентній поглинаючій підкладці cкінченної товщини шляхом аналізу спектрів його теплового випромінювання (ТР).
На прикладі плоскопаралельної напівпровідникової пластини InAs, покритої сріблом на тильній поверхні, показано, що комплексний аналіз спектрів TР як без магнітного поля, так
і за його наявності дозволяє визначити товщину, оптичну, магнітооптичні та електричні параметри шару. Наведено алгоритми розрахунку та аналізу спектрів TР,
які спрощують визначення параметрів шару та підвищують точність результатів. Порівнюючи положення країв експериментального спектра нульового поля з теоретичними розрахунками,
було визначено товщину зразка та частоту коливань плазми у використовуваному напівпровіднику. Аналіз відносної контрастності інтерференційних коливань у спектрі TР
у магнітному полі за допомогою раніше визначених параметрів дозволив встановити спектральну залежність кута повороту Фарадея та визначити концентрацію, ефективну масу та тип носіїв струму.
Передбачається, що такий аналіз спектрів люмінесценції дозволяє також визначати параметри магнітооптичних шарів та структур.
Ключові слова: оптичні сталі, електричні параметри, магнітооптичні шари, теплове випромінювання, ефект Фарадея.
В.О. Мороженко1,
В.П. Маслов1,
І.В. Бар’яхтар2,
Н.В. Качур1
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.