Department of Electrical and Electronic Engineering, University of Dhaka, Dhaka-1000, Bangladesh
*Corresponding author e-mail: sakhawat@du.ac.bd, mobile: +8801716865552

Анотація. Створена модель структури світлодіода In_0.17Ga_0.83N на підкладці ScAlMgO₄ (0001) для випромінювання червоного кольору високої інтенсивності. Великий вміст індію (In > 15%) у полярній квантовій ямі c-площини (КЯ) для випромінювання з більшою довжиною хвиль погіршує структурні та оптичні властивості світлодіодів через індуковану енергію деформації та квантовий ефект Штарка. Щоб компенсувати ці ефекти, на КЯ шар товщиною 3 нм із вмістом In 35% нанесено шар AlyGa1–yN товщиною 2 нм із вмістом Al 17%, що дозволило зменшити щільність дефектів і підвищити інтенсивність червоного випромінювання при 663 нм, ніж у світлодіодів n_0.17Ga_0.83N/In_xGa_1–xN, вирощених на підкладці ScAlMgO₄ (0001). Це було продемонстровано шляхом моделювання. Ця структура світлодіода має досконалу рівноважну сталу решітки (aeq = 3,249 Å) і вищі значення логарифмічної сили осцилятора (Γ = –0,93).

Ключові слова: світлодіод на ScAlMgO₄ (0001) підкладці, випромінювання червоного кольору, рівноважна стала решітки, сила осцилятора, AlGaN шар

Текст статті (PDF)

Посилання

Назад до 23 (4)