Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 23 (3), P. 227-252 (2020).
https://doi.org/10.15407/spqeo23.03.227
Розвиток приладів типу «кремній-на-ізоляторі» (КНІ) та їх основні властивості
Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України,
45, проспект Науки, 03680 Київ, Україна Анотація. Кремній-на-ізоляторі (КНІ) є найбільш перспективною кремнієвою технологією на сьогоднішній день. Використання технології КНІ забезпечує значні переваги порівняно з традиційною технологією об’ємного кремнію при виготовленні багатьох типів інтегральних схем (ІС), зокрема, комплементарних метал-оксид-напівпровідник (КМОН) ІС. Технологія КНІ також дозволяє подальшу мініатюризацію КМОН-приладів у нанометровому діапазоні. У цьому огляді коротко описано еволюцію технології КНІ та її основні області застосування. Представлено основні технологічні методи виготовлення пластин КНІ. Описано принципові переваги КНІ-приладів порівняно з приладами на об’ємному кремнії. Розглянуто типи КНІ метал-оксид-напівпровідникових (МОН) транзисторів і їх основні електричні властивості.
Ключові слова: кремній-на-ізоляторі (КНІ), метал-оксид-напівпровідник (МОН) транзистор, КНІ-транзистори з багатостороннім затвором, КНІ-транзистор з надтонкою кремнієвою плівкою, повністю збіднений КНІ-транзистор, зарядовий зв’язок меж поділу.
Т.О. Руденко, О.М. Назаров, В.С. Лисенко
E-mail: tamara@lab15.kiev.ua; tamara_rud@yahoo.com
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.