Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 21 (4), P. 412-416 (2018).
DOI: https://doi.org/10.15407/spqeo21.04.412
Еліпсометрія гібридних наноструктур благородний метал – діелектрик
А.Л. Ямпольський1, O.В. Maкаренко1, Л.В. Поперенко1, В.О. Лисюк2
2Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України,
41, проспект Науки, 03680 Київ, Україна
Анотація. Виконано кутові еліпсометричні вимірювання тонких плівок Ag, Cu, покритих захисним шаром HfO2. Виміряно еліпсометричні параметри ψ і Δ в діапазоні кутів падіння світла θ = 43°…85°. ψ – азимут відновленої лінійної поляризації, Δ – фазовий зсув між p- і s-компонентами відбитого світла. Для порівняння також була досліджена тонка плівка Au (традиційний датчик для поверхневого плазмонного резонансу (ППР)). Крива Δ(θ) для всіх досліджених зразків спадає зі збільшенням кута падіння світла, тоді як ψ(θ) відносно слабко змінюється. Встановлено, що збільшення товщини шару HfO2 впливає на величину tan(ψ), а відхилення tan(ψ) в основному визначається типом металевої плівки. Зі зростанням шару HfO2 мінімальне положення tan(ψ) зміщується у бік менших кутів. З цих кутових залежностей можна вибрати відповідну ППР-сумісну структуру за рахунок максимального відхилення tan(ψ). Для оптимізації товщини шарів для високих значень ППР резонансу необхідні спектральні вимірювання та додаткові розрахунки.
Ключові слова: еліпсометрія, тонка плівка, благородні метали, поверхневий плазмонний резонанс, оксид гафнію.
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.